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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | DIP, DIP44,1.9 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.64 |
| 最长访问时间： | 100 ns | 备用内存宽度： | 16 |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-T44 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2MX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP44,1.9 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.187 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MS161000FKXLI-70 | MOSAIC |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS |
|
| MS16106 | HONEYWELL |
获取价格 |
Interactive Catalog Replaces Catalog Pages |
|
| MS16106-1 | HONEYWELL |
获取价格 |
Interactive Catalog Replaces Catalog Pages |
|
| MS16106-3 | HONEYWELL |
获取价格 |
Snap Acting/Limit Switch, SPDT, Momentary, 11.13mm, Screw Terminal, Panel Mount-threaded |
|
| MS-16-140 | ETC |
获取价格 |
High-Speed Interconnect Technology |
|
| MS-16-140-Y | ETC |
获取价格 |
High-Speed Interconnect Technology |
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| MS16150 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AC, SIMILA |
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| MS16180 | EIC |
获取价格 |
Schottky Barrier Rectifiers |
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| MS1619 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MS161A | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Smart/Normal 7 Seg Numeric LED Display, 1-Character, Red, 15mm, CASE D-161, 10 PIN |
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