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MS161000FKXAI-10

更新时间: 2024-02-15 05:01:13
品牌 Logo 应用领域
MOSAIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 278K
描述
SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS

MS161000FKXAI-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:DMA
包装说明:DIP, DIP44,1.9针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.74
最长访问时间:100 ns备用内存宽度:16
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-T44
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:44
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP44,1.9
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.032 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.187 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

MS161000FKXAI-10 数据手册

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