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MS1577

更新时间： 2024-09-15 21:22:35

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	102K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.437 X 0.450 INCH, PLASTIC, M173, 4 PIN

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MS1577 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	其他特性：	WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	8 A
基于收集器的最大容量：	80 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1577 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1577

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

800/900 MHz APPLICATIONS

Features

860 - 900 MHz

24 VOLTS

P_OUT= 40 WATTS

G_P= 6.0 dB MINIMUM

CLASS AB PUSH PULL

INTERNAL INPUT MATCHED

HIGH SATURATED POWER CAPABILITY

GOLD METALLIZATION

DIFFUSED EMITTER BALLAST

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1577 is a gold metallized epitaxial silicon NPN planar

transistor using diffused emitter ballast resistors for high

linearity Class AB operation in cellular base station applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

3.0

8.0

P_DISS

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

175

+200

°C

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

°C/W

1.0

MSCXXXX.PDF 01-19-99

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