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MS1531

更新时间： 2024-11-03 21:12:59

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	72K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, M122, 4 PIN

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MS1531 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-PRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	其他特性：	WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
最大集电极电流 (IC)：	1.6 A	基于收集器的最大容量：	20 pF
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS1531 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1531

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

UHF TV/LINEAR APPLICATIONS

Features

860 MHz

25 VOLTS

CLASS A OPERATION

P_OUT= 4 WATTS

G_P= 8.0 dB MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1531 is a gold metallized NPN silicon bipolar transistor

optimized for Class A operation in TV driver application.

Emitter ballasting provides reliability and stability under

Class A linear operation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

Collector-Base Voltage

V_EBO

V_CES

P_DISS

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Power Dissipation

3.5

31.8

1.6

Device Current

Junction Temperature

Storage Temperature

+200

°C

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

5.5

°C/W

MSCXXXX.PDF 01-19-99

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