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MS1531

更新时间： 2024-11-03 18:52:35

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	104K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M122, 4 PIN

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MS1531 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.13	基于收集器的最大容量：	20 pF
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1531 数据手册

MS1531

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

UHF TV/LINEAR APPLICATIONS

Features

•

860 MHz

25 VOLTS

CLASS A OPERATION

P_OUT= 4 WATTS

G_P= 8.0 dB MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1531 is a gold metallized NPN silicon bipolar transistor

optimized for Class A operation in TV driver application.

Emitter ballasting provides reliability and stability under

Class A linear operation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

Collector-Base Voltage

V_EBO

V_CES

P_DISS

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Power Dissipation

3.5

31.8

1.6

°C

Device Current

Junction Temperature

Storage Temperature

+200

-65 to +150

T_STG

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

5.5

°C/W

053-7094 Rev - 10-2002

12 3

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