MS1504

更新时间： 2024-11-18 03:48:23

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ADPOW		晶体射频和微波射频双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	97K
描述
RF AND MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS

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MS1504 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-PRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	8 A	基于收集器的最大容量：	95 pF
集电极-发射极最大电压：	18 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-PRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS1504 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1504

RF AND MICROWAVE TRANSISTORS

VHF MOBILE APPLICATIONS

Features

160 MHz

13.6 Volts

Common Emitter

P_OUT= 30 W Min.

G_P= 10.0 dB Gain

DESCRIPTION:

The MS1504 is a 13.6 V Class C epitaxial silicon NPN planar

transistor designed primarily for VHF communications. The MS1504

utilizes an emitter ballasted die geometry to withstand severe load

mismatch conditions.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

Value

4.0

Unit

8.0

P_DISS

T_J

T_STG

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

+200

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

1.2

°C/W

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

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