MS1503

更新时间： 2024-11-02 03:48:23

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ADPOW		晶体射频双极晶体管微波放大器局域网
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3页	99K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS WIDE BAND VHF/UHF APPLICATIONS

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MS1503 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-PXFM-F6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
其他特性：	WITH DIFFUSED EMITTER RESISTORS	最大集电极电流 (IC)：	4 A
基于收集器的最大容量：	105 pF	集电极-发射极最大电压：	33 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-PXFM-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1503 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1503

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

WIDE BAND VHF/UHF APPLICATIONS

Features

400 MHz

28 VOLTS

GOLD METALIZATION

P_OUT= 100 WATTS

G_P= 7.0 dB GAIN MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1503 is a 28V Class C epitaxial silicon NPN planar

transistor designed primarily for UHF communications. The

device utilizes diffused emitter resistors to achieve infinite

VSWR capability under operating conditions. Internal inpedance

matching produces optimum power gain and efficiency over the

225-400MHz band.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

4.0

P_DISS

T_J

Power Dissipation

250

+200

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

T_STG

-65 +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

0.7

°C/W

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

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