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MS1501

更新时间： 2024-11-02 03:48:23

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ADPOW		晶体晶体管电视射频微波
页数	文件大小	规格书
3页	97K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF TV/LINEAR APPLICATIONS

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MS1501 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-PRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	基于收集器的最大容量：	10 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS1501 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1501

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

UHF TV/LINEAR APPLICATIONS

Features

860 MHz

P_OUT= 2 WATTS

G_P= 8.5 dB MINIMUM

GOLD METALLIZATION

CLASS A LINEAR OPERATION

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1501 is a silicon NPN bipolar device specifically designed

for high linearity applications in the UHF frequency range

including TV Bands IV and V.

Gold metallization and emitter ballasting assure high reliability

under Class A linear amplifier operation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

Collector - Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Device Currnet

800

15.9

+200

P_DISS

T_J

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

T_stg

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Junction-case Thermal Resistance

11.0

°C/W

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

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