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MS1491

更新时间： 2024-11-20 19:04:11

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	71K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, M111, 3 PIN

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MS1491 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-PXFM-F6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
最大集电极电流 (IC)：	10 A	基于收集器的最大容量：	170 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PXFM-F6
元件数量：	1	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1491 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1491

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

UHF MOBILE APPLICATIONS

Features

470 MHz

12.5 VOLTS

P_OUT= 45 WATTS

G_P= 5.2 dB MINIMUM

GOLD METALIZATION

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1491 is a 12.5 volt silicon NPN transistor designed

primarily for UHF communications. The device utilizes an

emitter ballasted die geometry capable of operating into an

infinite load VSWR under specified operating conditions.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

4.0

V_EBO

I_C

P_TOT

T_STG

T_J

Total Power Dissipation

Storage Temperature

Junction Temperature

175

°C

-65 to +200

+200

Thermal Data

R_TH(J-C)

Junction-case Thermal Resistance

1.0

°C/W

MSCXXXX.PDF 01-19-99

12 3

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