MS1480

更新时间： 2024-11-18 03:48:23

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ADPOW		晶体射频双极晶体管微波放大器局域网
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3页	97K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONS

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MS1480 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-PXFM-F6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
其他特性：	WITH DIFFUSED EMITTER RESISTORS	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PXFM-F6
元件数量：	1	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS1480 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1480

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

UHF MOBILE APPLICATIONS

Features

470 MHz

12.5 VOLTS

OUT = 45 W

G_P= 5.0 dB MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1480 is an epitaxial silicon NPN planar transistor

designed primarily for 12.5 V Class C UHF communications.

This device utilizes diffused emitter resistors to achieve

infinite VSWR capability under specified operating conditions.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_CES

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Power Dissipation

4.0

175

10.0

V_EBO

P_DISS

I_C

Device Current

Junction Temperature

Storage Temperature

200

°C

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

1.0

°C/W

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

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