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MS1454

更新时间： 2024-11-02 03:48:23

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ADPOW		晶体射频和微波晶体管蜂窝
页数	文件大小	规格书
5页	280K
描述
RF AND MICROWAVE TRANSISTORS 806-960 MHZ CELLULAR BASE STATIONS

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MS1454 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PDFM-F6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	其他特性：	WITH EMITTER BALLAST RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	7.5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDFM-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1454 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1454

RF AND MICROWAVE TRANSISTORS

806-960 MHZ CELLULAR BASE STATIONS

Features

Gold Metallization

Diffused Emitter Ballasting

Internal Input Matching

Designed for Linear Operation

High Saturated Power Capability

Common Emitter Configuration

P_OUT

Gain

30 W MIN

7.5 dB

Efficiency

20:1 VSWR

55% (Typ)

Overdrive Survivability 5 dB

DESCRIPTION:

The MS1454 gold/metallized epitaxial silicon NPN planar transistor

uses diffused emitter ballast resistors for high linearity class AB

operation in cellular base station applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

P_DISS

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Total Power Dissipation

Collector Current

3.5

7.5

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature

+200

°C

T_stg

-65 to +150

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

°C/W

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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