MS1453

更新时间： 2024-11-02 03:48:23

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ADPOW		晶体射频双极晶体管微波光电二极管放大器局域网
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3页	87K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS 800-900 MHz BASESTATION APPLICATIONS

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MS1453 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PDFM-F6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	基于收集器的最大容量：	48 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDFM-F6
元件数量：	1	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS1453 数据手册

MS1453

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

800-900 MHz BASESTATION APPLICATIONS

Features

800-900 MHz

24 VOLTS

COMMON EMITTER

GOLD METALIZATION

INTERNAL INPUT MATCHING

CLASS AB LINEAR OPERATION

P_OUT= 30 W MIN. WITH 7.5 dB GAIN

DESCRIPTION:

The MS1453 is a gold metallized epitaxial silicon

NPN planar transistor using diffused emitter ballast

resistors for high linearity Class AB operation in

cellular base station applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

Collector-Base Voltage

V_CES

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

5.0

P_DISS

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

+200

-65 to +150

T_STG

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

3.0

°C/W

MS1453.PDF 12-10-03

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

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