MS1261

更新时间： 2024-11-12 03:48:23

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ADPOW		晶体射频双极晶体管微波放大器
页数	文件大小	规格书
3页	97K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS

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MS1261 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-PRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	2.5 A
基于收集器的最大容量：	45 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-PRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1261 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1261

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

VHF MOBILE APPLICATIONS

Features

175 MHz

12.5 VOLTS

P_OUT= 15 WATTS

Gp = 12 dB MINIMUM

INPUT IMPEDANCE MATCHING

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1261 is a Class C 12.5V epitaxial silicon NPN planar

transistor designed primarily for UHF communications. This

devices utilizes a gold metallized, emitter ballasted die

geometry for superior reliability and infinite VSWR capability.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

V_CES

V_EBO

I_C

4.0

2.5

P_DISS

T_J

Power Dissipation

º C

Junction Temperature

Storage Temperature

+200

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

8.75

°C/W

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MS127-101MB	JOHANSON	获取价格	General Purpose Inductor, 100uH, 20%, 1 Element, SMD
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