MS1011

更新时间： 2024-11-19 03:48:23

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ADPOW		晶体射频和微波射频双极晶体管局域网
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3页	97K
描述
RF AND MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

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MS1011 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-PRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	40 A
基于收集器的最大容量：	360 pF	集电极-发射极最大电压：	55 V
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRFM-F4
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS1011 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1011

RF AND MICROWAVE TRANSISTORS

HF SSB APPLICATIONS

Features

OPTIMIZED FOR SSB

30 MHz

50 VOLTS

IMD — 30 dB

GOLD METALLIZATION

COMMON EMITTER

P_OUT= 250 W PEP WITH 14.5 dB GAIN

DESCRIPTION:

The MS1011 is a 50 V epitaxial silicon NPN planar transistor

designed primarily for SSB and VHF communications. This device

utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

Value

110

Unit

P_DISS

T_J

T_STG

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

330

+200

–65 to +150

°C

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

0.4

°C/W

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

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