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MRF842

更新时间： 2024-11-10 22:51:07
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
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描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF842 数据手册

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by MRF842/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed for 12.5 volt UHF large–signal, common–base amplifier applica-  
tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of  
806–960 MHz.  
•
Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics  
Output Power = 20 Watts  
Power Gain = 6.0 dB Min  
20 W, 870 MHz  
RF POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
Efficiency = 50% Min  
•
•
•
Series Equivalent Large–Signal Characterization  
Internally Matched Input for Broadband Operation  
100% Tested for Load Mismatch Stress at All Phase Angles with 20:1  
VSWR @ 15.5 Volt Supply and 50% RF Overdrive  
•
•
Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Resistance to Metal  
Migration  
Silicon Nitride Passivated  
CASE 319–07, STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
16  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
36  
4.0  
7.6  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
Derate above 25°C  
P
D
80  
0.64  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case (2)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.5  
°C/W  
θJC  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 50 mAdc, I = 0)  
V
16  
36  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 50 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
(BR)EBO  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 15 Vdc, I = 0)  
I
5.0  
mAdc  
CBO  
CB  
NOTES:  
E
(continued)  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.  
2. Thermal Resistance is determined under specified RF operating conditions by infrared measurement techniques.  
REV 6  
Motorola, Inc. 1994  
123456

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