5秒后页面跳转
MRF841F PDF预览

MRF841F

更新时间: 2024-11-11 14:53:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
6页 177K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

MRF841F 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):2 A基于收集器的最大容量:15 pF
集电极-发射极最大电压:16 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F6元件数量:1
端子数量:6最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:25 W最小功率增益 (Gp):8.5 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MRF841F 数据手册

 浏览型号MRF841F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MRF841F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MRF841F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MRF841F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MRF841F的Datasheet PDF文件第6页 

与MRF841F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF842 MOTOROLA

获取价格

RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF844 MOTOROLA

获取价格

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
MRF846 ASI

获取价格

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF846 NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT NPN 16.5V 12A 6-Pin Case 319-07
MRF847 MOTOROLA

获取价格

RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF848 MOTOROLA

获取价格

RF POWER TRANSISTOR
MRF857 MOTOROLA

获取价格

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF857D MOTOROLA

获取价格

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF857S MOTOROLA

获取价格

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF858 MOTOROLA

获取价格

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR