MRF8372R1G

更新时间： 2024-11-11 13:00:31

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管放大器
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Transistor

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MRF8372R1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

MRF8372R1G 数据手册

MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

*G Denotes RoHS Compliant, Pb free Terminal Finish

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

•

Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz

Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

Cost Effective MacroX Package

Macro X

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

MRF581

MRF581A

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2.5

200

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TC = 50ºC

Derate above 50ºC

2.5

Watts

mW/ ºC

Total Device Dissipation @ TC = 25ºC

Derate above 25ºC

1.25

Watts

mW/ ºC

Storage Junction Temperature Range

Tstg

-65 to +150

150

ºC

Maximum Junction Temperature

T_Jmax

Revision A- December 2008

Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at www.microsemi.com or contact our factory direct.

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