是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.31 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.2 A | 基于收集器的最大容量: | 2.5 pF |
集电极-发射极最大电压: | 16 V | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | 最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 1.67 W | 最大功率耗散 (Abs): | 1.5 W |
最小功率增益 (Gp): | 8 dB | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BFG35,115 | NXP |
功能相似 |
BFG35 - NPN 4 GHz wideband transistor SC-73 4-Pin | |
BFQ18A,115 | NXP |
功能相似 |
BFQ18A - NPN 4 GHz wideband transistor SOT-89 3-Pin | |
NTE278 | NTE |
功能相似 |
Silicon NPN Transistor Broadband RF Amp |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MRF8372G | ADPOW |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
MRF8372R1 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
MRF8372R1 | MOTOROLA |
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RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON | |
MRF8372R1G | MICROSEMI |
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Transistor | |
MRF8372R2 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON | |
MRF8372R2 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
MRF8372R2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor | |
MRF838 | MOTOROLA |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR | |
MRF838A | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | |
MRF838A | MOTOROLA |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |