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MRF5583 PDF预览

MRF5583

更新时间： 2024-01-09 03:07:51
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 71K
描述
SURFACE MOUNT HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR PNP SILICON

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MRF5583 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：5 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：5 W
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1000 MHzVCEsat-Max：0.8 V
Base Number Matches：1

MRF5583 数据手册

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by MRF5583/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed for amplifier, oscillator or frequency multiplier applications in  
industrial equipment. Suitable for use as a Class A, B or C output driver or  
pre–driver stages in VHF and UHF.  
•
•
•
•
Low Cost SORF Plastic Surface Mount Package  
I
= –500 mA  
C
2
|
Guaranteed RF Specification — |S  
S–Parameter Characterization  
SURFACE MOUNT  
HIGH–FREQUENCY  
TRANSISTOR  
21  
Tape and Reel Packaging Options Available by adding suffix:  
R1 suffix = 500 units per reel  
PNP SILICON  
R2 suffix = 2,500 units per reel  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
–30  
Unit  
V
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–30  
V
–3.0  
V
Collector Current — Continuous  
I
–500  
mA  
°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
stg  
–55 to +150  
J
CASE 751–05, STYLE 1  
(SO–8)  
DEVICE MARKING  
MRF5583 = 5583  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watt  
mW/°C  
A
Storage Temperature  
T
150  
125  
°C  
stg  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
°C/W  
θJA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = –10 mA)  
V
V
–30  
–30  
–3  
—
—
—
—
—
—
—
V
V
C
(BR)CEO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = –10 µA)  
C
(BR)CBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = –100 µA)  
V
—
V
E
(BR)EBO  
Collector Cutoff Current (V  
= –20 V)  
= –2.0 V)  
I
—
–1.0  
–0.5  
µA  
µA  
CB  
CBO  
Emitter Cutoff Current (V  
EB  
I
—
EBO  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (I = –40 mA, V  
CE  
= –2.0 V)  
= –2.0 V)  
= –5.0 V)  
h
FE  
20  
25  
15  
—
—
—
—
100  
—
—
C
DC Current Gain (I = –100 mA, V  
C
CE  
DC Current Gain (I = –300 mA, V  
CE  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = –100 mA, I = –10 mA)  
V
CE(sat)  
—
—
—
—
0.8  
1.8  
V
V
C
B
Base–Emitter On Voltage (I = –100 mA, V  
C
= –2.0 V)  
V
BE(on)  
CE  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
—
2100  
15.5  
—
—
MHz  
dB  
T
(I = –35 mA, V  
= –15 V, f = 100 MHz)  
C
CE  
2
Insertion Gain (V  
CE  
= –15 V, I = –35 mA, f = 250 MHz)  
|S  
|
21  
12.5  
C
REV 6  
Motorola, Inc. 1994  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF5583HX MOTOROLA

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 		暂无描述
MRF5583HXV MOTOROLA

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