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MRF557

更新时间： 2024-02-10 20:58:26
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管射频放大器
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF557 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-PRDB-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：5.5 pF
集电极-发射极最大电压：16 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-PRDB-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF557 数据手册

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by MRF557/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the  
800 MHz frequency range.  
•
Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics  
Output Power = 1.5 W  
1.5 W, 870 MHz  
Minimum Gain = 8.0 dB  
Efficiency 60% (Typ)  
RF LOW POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
•
•
•
Cost Effective PowerMacro Package  
Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability  
Circuit board photomaster available upon request by  
contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
16  
Unit  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
36  
Vdc  
4.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
400  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 75°C (1, 2)  
Derate above 75°C  
P
D
3.0  
40  
Watts  
mW/°C  
C
CASE 317D–02, STYLE 2  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
25  
°C/W  
θJC  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 5.0 mAdc, I = 0)  
V
16  
36  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 5.0 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 15 Vdc, V = 0, T = 25°C)  
I
0.1  
mAdc  
CES  
CE BE  
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 100 mAdc, V  
C
h
50  
—
90  
200  
5.0  
—
FE  
= 5.0 Vdc)  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
C
3.5  
pF  
ob  
(V  
CB  
= 15 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
E
NOTES:  
1. T , Case temperature measured on collector lead immediately adjacent to body of package.  
(continued)  
C
2. The MRF557 PowerMacro must be properly mounted for reliable operation. AN938, “Mounting Techniques in PowerMacro Transistor,”  
discusses methods of mounting and heatsinking.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995  
123456

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