MRF557

更新时间： 2024-01-11 22:38:01

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ADPOW		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波放大器
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描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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MRF557 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-PRDB-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	5.5 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRDB-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF557 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MRF557

MRF557G

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

* G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish

Features

Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics

Output Power = 1.5 W

Minimum Gain = 8 dB

Efficiency 60% (Typ)

Cost Effective PowerMacro Package

Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability

Power Macro

DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in

the UHF frequency range.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

3.0

500

Thermal Data

3.0

Watts

mW/ °C

Total Device Dissipation @ TC = 75°C

Derate above 75°C

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

Rev A 9/2005

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