MRF555T

更新时间： 2024-09-25 10:47:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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MRF555T 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	5.5 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRDB-F4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF555T 数据手册

MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

*G Denotes RoHS Compliant, Pb free Terminal Finish

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

•

Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz

Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

Cost Effective MacroX Package

Macro X

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

MRF581

MRF581A

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2.5

200

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TC = 50ºC

Derate above 50ºC

2.5

Watts

mW/ ºC

Total Device Dissipation @ TC = 25ºC

Derate above 25ºC

1.25

Watts

mW/ ºC

Storage Junction Temperature Range

Tstg

-65 to +150

150

ºC

Maximum Junction Temperature

T_Jmax

Revision A- December 2008

Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at www.microsemi.com or contact our factory direct.

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