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MRF555

更新时间： 2024-02-06 07:52:47

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管开关射频
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描述
RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF555 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	5.5 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRDB-F4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF555 数据手册

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by MRF555/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the UHF

frequency range.

•

Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics @ P

Common Emitter Power Gain = 12.5 dB (Typ)

Efficiency 60% (Typ)

= 1.5 W

out

1.5 W, 470 MHz

RF LOW POWER

TRANSISTOR

NPN SILICON

•

Cost Effective PowerMacro Package

Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability

Circuit board photomaster available upon request by

contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

mAdc

°C

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

Emitter–Base Voltage

4.0

Collector Current — Continuous

Operating Junction Temperature

400

150

Total Device Dissipation @ T = 75°C (1, 2)

Derate above 75°C

3.0

Watts

mW/°C

CASE 317D–02, STYLE 2

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

stg

–55 to +150

°C

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Max

Unit

°C/W

θJC

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 5.0 mAdc, I = 0)

4.0

—

Vdc

(BR)CEO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 5.0 mAdc, V = 0)

(BR)CES

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 0.1 mAdc, I = 0)

—

Vdc

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

(V = 15 Vdc, V = 0, T = 25°C)

0.1

mAdc

CES

CE BE

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(I = 100 mAdc, V

—

200

5.0

—

= 5.0 Vdc)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Output Capacitance

3.5

= 15 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)

NOTES:

1. T , Case temperature measured on collector lead immediately adjacent to body of package.

(continued)

2. The MRF555 PowerMacro must be properly mounted for reliable operation. AN938, “Mounting Techniques in PowerMacro Transistor,”

discusses methods of mounting and heatsinking.

REV 7

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1995

MRF555

12 3 4 5 6

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MRF557G	ADPOW	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
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