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MRF555

更新时间： 2024-09-25 10:47:27

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ASI		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	68K
描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR

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MRF555 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	5.5 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF555 数据手册

MRF555

NPN SILICON RF TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE

The ASI MRF555 is designed for

Wideband large signal stages in the

UHF frequency range.

MILLIMETERS

INCHES

MIN

DIM

MIN

4.45

1.91

0.84

2.46

8.84

0.20

7.24

MAX

5.21

2.54

0.99

2.64

9.73

0.31

8.13

MAX

.205

.100

.039

.104

.383

0.12

.320

.175

.075

.033

.097

.348

.008

.285

FEATURES:

• 12.5 V, 470 MHz.

• P_OUT= 1.5 W

• G_P= 11 min.

1.65

3.25

0.65

0.128

0.64

1.02

.025

0.40

• η = 60 % (Typ)

MAXIMUM RATINGS

1 = COLLECTOR

2 = EMITTER

3 = BASE

500 mA

30 V

I_C

V_CBO

P_DISS

T_J

4 = EMITTER

3.0 W @ T_C= 75 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

41.7 °C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 5.0 mA

I_E= 0.1 mA

BV_CES

BV_EBO

I_CES

3.0

_CE= 15 V

_CE= 5.0 V

5.0

---

I_C= 100 mA

P_OUT= 1.5 W

200

h_FE

V_CB= 10 V

f = 1.0 MHz

f = 470 MHz

5.5

C_CB

_CE= 12.5 V

12.5

G_PE

10:1

---

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/3

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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