MRF555

更新时间： 2024-09-25 04:14:39

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管开关
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RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF555 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DISK BUTTON, O-PRDB-F4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.4 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRDB-F4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	3 W
最小功率增益 (Gp)：	11 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF555 数据手册

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by MRF555/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the UHF

frequency range.

•

Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics @ P

Common Emitter Power Gain = 12.5 dB (Typ)

Efficiency 60% (Typ)

= 1.5 W

out

1.5 W, 470 MHz

RF LOW POWER

TRANSISTOR

NPN SILICON

•

Cost Effective PowerMacro Package

Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability

Circuit board photomaster available upon request by

contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

mAdc

°C

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

Emitter–Base Voltage

4.0

Collector Current — Continuous

Operating Junction Temperature

400

150

Total Device Dissipation @ T = 75°C (1, 2)

Derate above 75°C

3.0

Watts

mW/°C

CASE 317D–02, STYLE 2

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

stg

–55 to +150

°C

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Max

Unit

°C/W

θJC

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 5.0 mAdc, I = 0)

4.0

—

Vdc

(BR)CEO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 5.0 mAdc, V = 0)

(BR)CES

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 0.1 mAdc, I = 0)

—

Vdc

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

(V = 15 Vdc, V = 0, T = 25°C)

0.1

mAdc

CES

CE BE

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(I = 100 mAdc, V

—

200

5.0

—

= 5.0 Vdc)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Output Capacitance

3.5

= 15 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)

NOTES:

1. T , Case temperature measured on collector lead immediately adjacent to body of package.

(continued)

2. The MRF555 PowerMacro must be properly mounted for reliable operation. AN938, “Mounting Techniques in PowerMacro Transistor,”

discusses methods of mounting and heatsinking.

REV 7

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1995

MRF555

12 3 4 5 6

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MRF557	ADPOW	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF557	MOTOROLA	获取价格	RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF557	FREESCALE	获取价格	RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF557G	ADPOW	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
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MRF5583	MOTOROLA	获取价格	SURFACE MOUNT HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR PNP SILICON
MRF5583HX	MOTOROLA	获取价格	暂无描述

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