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MRF377HR3

更新时间： 2024-01-03 23:30:09

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N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF377HR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.04
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A	最大漏极电流 (ID)：	17 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	648 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF377HR3 数据手册

MRF377H

Rev. 0, 1/2005

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field-Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF377HR3

MRF377HR5

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of these

devices make them ideal for large-signal, common source amplifier applications

in 32 volt digital television transmitter equipment.

• Typical Broadband DVBT OFDM Performance @ 470-860 MHz, 32 Volts,

_DQ= 2.0 A, 8K Mode, 64 QAM

Output Power — 45 Watts Avg.

Power Gain ≥ 16.7 dB

Efficiency ≥ 21%

470 - 860 MHz, 240 W, 32 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

ACPR ≤ -58 dBc

• Typical Broadband ATSC 8VSB Performance @ 470-860 MHz, 32 Volts,

_DQ= 2.0 A

Output Power — 80 Watts Avg.

Power Gain ≥ 16.5 dB

Efficiency ≥ 27.5%

IMD ≤ -31.3 dBc

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 860 MHz, 45 Watts DVBT

OFDM Output Power

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Internally Input and Output Matched for Ease of Use

• Integrated ESD Protection

• Excellent Thermal Stability

• Lower Thermal Resistance Package

CASE 375G-04, STYLE 1

NI-860C3

• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

R5 Suffix = 50 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

Table 1. Maximum Ratings ⁽¹⁾

Rating

Symbol

Value

- 0.5, +65

- 0.5, +15

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

Vdc

Adc

DSS

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

648

3.7

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

200

°C

stg

Table 2. Thermal Characteristics

(2,3)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Case Temperature 81°C, 105 W CW

Case Temperature 77°C, 45 W CW

°C/W

0.27

0.29

1. Each side of device measured separately.

2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access

the MTTF calculators by product.

3. Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

MRF377HR3 MRF377HR5

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF377HR3_09	FREESCALE	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF377HR5	FREESCALE	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF377R3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF377R5	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
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MRF3866	ASI	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR
MRF3866	ADPOW	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
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