MRF374

更新时间： 2024-11-18 04:14:39

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ASI		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
页数	文件大小	规格书
2页	97K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF374 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	270 W
子类别：	FET General Purpose Power	Base Number Matches：	1

MRF374 数据手册

MRF374

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MRF374 is Designed for

broadband commercial and industrial

applications in 470 to 860 MHz band.

PACKAGE STYLE .230 BAL FLG.

FEATURES:

• P_G= 13.5 dB typ. at 100 W/875 MHz

• η_D= 36 % Typical

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

7.0 A

65 V

I_D

V_DSS

V_GS

P_DISS

T_J

±20 V

270 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

0.65 °C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

V_DSS

NONETEST CONDITIONS

_DS= 1.0 µA

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

µA

_DS= 28 V

_GS= 20 V

_DS= 10 V

_DS= 28 V

1.0

4.0

5.0

0.8

I_DSS

I_GSS

I_D= 200 µA

I_D= 100 mA

I_D= 3.0 A

2.0

3.0

3.5

4.2

V_GS(th)

V_GS(Q)

V_DS(ON)

G_FS

V_DS= 10 V

_DS= 10 V

0.56

2.8

I_D= 3.0 A

2.2

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/2

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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MRF374 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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