MRF373SR1

更新时间： 2024-11-18 04:14:39

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
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RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MRF373SR1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	173 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF373SR1 数据手册

ARCHIVED BY FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 2005

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF373/D

The RF MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

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Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies from 470 – 860 MHz. The high gain and broadband performance of these

devices make them ideal for large–signal, common source amplifier applica-

tions in 28 volt transmitter equipment.

470 – 860 MHz, 60 W, 28 V

LATERAL N–CHANNEL

BROADBAND

RF POWER MOSFETS

• Guaranteed CW Performance at 860 MHz, 28 Volts, Narrowband Fixture

Output Power – 60 Watts

Power Gain – 13 dB

Efficiency – 50%

• Typical Performance at 860 MHz, 28 Volts, Broadband Push–Pull Fixture

Output Power – 100 Watts (PEP)

Power Gain – 11.2 dB

Efficiency – 40%

IMD – –30 dBc

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• Excellent Thermal Stability

CASE 360B–05, STYLE 1

NI–360

• 100% Tested for Load Mismatch Stress at All

Phase Angles with 5:1 VSWR @ 28 Vdc, 860 MHz,

60 Watts CW

MRF373R1

• In Tape and Reel. R1 = 500 units per 32 mm,

13 inch Reel.

ꢀ

CASE 360C–05, STYLE 1

NI–360S

ꢂ

MRF373SR1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

Vdc

Adc

Drain Current – Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

MRF373SR1

173

1.33

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

– 65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

0.75

Unit

°C/W

MRF373SR1

MRF373R1

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 6

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF373R1 MRF373SR1

 Motorola, Inc. 2002

Archived 2005

12 3 4 5 6 7...12

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