MRF373S

更新时间： 2024-01-14 09:14:50

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
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12页	218K
描述
The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF373S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF373S 数据手册

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by MRF373/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Product Is Not Recommended for New Design.

The next generation of higher performance products are in development. Visit our online

Selector Guides (http://mot–sps.com/rf/sg/sg.html) for scheduled introduction dates.

The RF MOSFET Line

60 W, 470 – 860 MHz, 28 V

LATERAL N–CHANNEL

BROADBAND

RF POWER MOSFETS

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen-

cies from 470 – 860 MHz. The high gain and broadband performance of this

device makes it ideal for large–signal, common source amplifier applications in

28 volt transmitter equipment.

•

Guaranteed CW Performance at 860 MHz, 28 Volts, Narrowband Fixture

Output Power – 60 Watts

Power Gain – 13 dB

Efficiency – 50%

•

Typical Performance at 860 MHz, 28 Volts, Broadband Push–Pull Fixture

CASE 360B–03, STYLE 1

(MRF373)

Output Power – 100 Watts (PEP)

Power Gain – 11.2 dB

Efficiency – 40%

IMD – –30 dBc

•

Excellent Thermal Stability

100% Tested for Load Mismatch Stress at All

Phase Angles with 5:1 VSWR @ 28 Vdc, 860 MHz,

60 Watts CW

CASE 360C–03, STYLE 1

(MRF373S)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

Vdc

Adc

±20

Drain Current – Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

MRF373S

173

1.33

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

– 65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

0.75

Unit

°C/W

MRF373S

MRF373

θJC

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 4

_MM_otoO_roT_laO_{, I}R_ncO_{. 2}L₀A₀₀WIRELESS SEMICONDUCTOR

SOLUTIONS – RF AND IF DEVICE DATA

MRF373 MRF373S

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF373SR1	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF374	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF374	NJSEMI	获取价格	Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 5-Pin Case 375F-04
MRF374A	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF374A	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF374A_06	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF377	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF377	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF377HR3	FREESCALE	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF377HR3_09	FREESCALE	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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