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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF373ASR1
MRF373ASR1 PDF预览

MRF373ASR1

更新时间： 2024-01-08 02:14:46
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 337K
描述
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MRF373ASR1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.09Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：70 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFP-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF373ASR1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Order this document  
by MRF373A/D  
The RF MOSFET Line  
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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs  
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Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-  
cies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of these  
devices make them ideal for large–signal, common source amplifier applica-  
tions in 28/32 volt transmitter equipment.  
470 – 860 MHz, 75 W, 32 V  
LATERAL N–CHANNEL  
BROADBAND  
• Typical CW Performance at 860 MHz, 32 Volts, Narrowband Fixture  
Output Power — 75 Watts  
RF POWER MOSFETs  
Power Gain — 18.2 dB  
Efficiency — 60%  
• 100% Tested for Load Mismatch Stress at All Phase Angles  
with 10:1 VSWR @ 32 Vdc, 860 MHz, 75 Watts CW  
• Integrated ESD Protection  
• Excellent Thermal Stability  
ꢁ
• Characterized with Series Equivalent Large–Signal  
CASE 360B–05, STYLE 1  
NI–360  
Impedance Parameters  
• In Tape and Reel. R1 = 500 units per 32 mm, 13 inch Reel.  
MRF373AR1  
ꢀ
CASE 360C–05, STYLE 1  
NI–360S  
MRF373ASR1  
ꢂ
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Drain–Source Voltage  
Gate–Source Voltage  
V
DSS  
Vdc  
Vdc  
V
GS  
– 0.5, +15  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
MRF373AR1  
P
D
197  
1.12  
278  
Watts  
W/°C  
Watts  
W/°C  
C
MRF373ASR1  
1.59  
Storage Temperature Range  
T
– 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
Operating Junction Temperature  
T
J
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS  
Test Conditions  
Class  
Human Body Model  
1 (Minimum)  
Machine Model  
MRF373AR1  
MRF373ASR1  
M2 (Minimum)  
M1 (Minimum)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
MRF373AR1  
MRF373ASR1  
R
0.89  
0.63  
°C/W  
θ
JC  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 2  
Motorola, Inc. 2002  
12345678

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