MRF373AR1

更新时间： 2024-11-17 22:45:59

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
8页	337K
描述
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MRF373AR1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	70 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF373AR1 数据手册

ꢒ ꢓꢎ ꢓ ꢀꢓ ꢔꢕ

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Order this document

by MRF373A/D

The RF MOSFET Line

ꢀ

ꢁ

ꢂ

ꢃ

ꢄ

ꢅ

ꢆ

ꢁ

ꢇ

ꢅ

ꢈ

ꢉ

ꢊ

ꢋ

ꢅ

ꢌ

ꢍ

ꢎꢆ

ꢏ

ꢐ

ꢑ

ꢇ

ꢑ

ꢍ

ꢃ

ꢆ

ꢑ

ꢒ

ꢀ

ꢁ

ꢖ

ꢗ

ꢖ

ꢕ

ꢀ

ꢘ

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

ꢒ

ꢀ

ꢁ

ꢖ

ꢗ

ꢖ

ꢕ

ꢙ

ꢀ

ꢘ

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of these

devices make them ideal for large–signal, common source amplifier applica-

tions in 28/32 volt transmitter equipment.

470 – 860 MHz, 75 W, 32 V

LATERAL N–CHANNEL

BROADBAND

• Typical CW Performance at 860 MHz, 32 Volts, Narrowband Fixture

Output Power — 75 Watts

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 18.2 dB

Efficiency — 60%

• 100% Tested for Load Mismatch Stress at All Phase Angles

with 10:1 VSWR @ 32 Vdc, 860 MHz, 75 Watts CW

• Integrated ESD Protection

• Excellent Thermal Stability

ꢁ

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal

CASE 360B–05, STYLE 1

NI–360

Impedance Parameters

• In Tape and Reel. R1 = 500 units per 32 mm, 13 inch Reel.

MRF373AR1

ꢀ

CASE 360C–05, STYLE 1

NI–360S

MRF373ASR1

ꢂ

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

Vdc

– 0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

MRF373AR1

197

1.12

278

Watts

W/°C

Watts

W/°C

MRF373ASR1

1.59

Storage Temperature Range

– 65 to +150

200

°C

stg

Operating Junction Temperature

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

1 (Minimum)

Machine Model

MRF373AR1

MRF373ASR1

M2 (Minimum)

M1 (Minimum)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

MRF373AR1

MRF373ASR1

0.89

0.63

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 2

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF373AR1 MRF373ASR1

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与MRF373AR1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF373AS	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 360C-05, 3 PIN
MRF373ASR1	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF373R1	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF373S	MOTOROLA	获取价格	The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MO
MRF373SR1	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF374	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF374	NJSEMI	获取价格	Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 5-Pin Case 375F-04
MRF374A	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF374A	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF374A_06	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors

与MRF373AR1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF373AR1

MRF373AR1 技术参数

MRF373AR1 数据手册

与MRF373AR1相关器件

与MRF373AR1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF373AR1

MRF373AR1 技术参数

MRF373AR1 数据手册

与MRF373AR1相关器件

与MRF373AR1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？