MRF373ALR1

更新时间： 2024-11-20 22:45:59

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF373ALR1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	70 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	197 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF373ALR1 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Freescale Semiconductor, Inc.

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by MRF373A/D

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors MRF373ALR1

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF373ALSR1

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of these

devices make them ideal for large-signal, common source amplifier applica-

tions in 28/32 volt transmitter equipment.

470 - 860 MHz, 75 W, 32 V

LATERAL N-CHANNEL

BROADBAND

• Typical CW Performance at 860 MHz, 32 Volts, Narrowband Fixture

Output Power — 75 Watts

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 18.2 dB

Efficiency — 60%

• 100% Tested for Load Mismatch Stress at All Phase Angles

with 10:1 VSWR @ 32 Vdc, 860 MHz, 75 Watts CW

• Integrated ESD Protection

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal

CASE 360B-05, STYLE 1

NI-360

Impedance Parameters

• In Tape and Reel. R1 = 500 units per 32 mm, 13 inch Reel.

MRF373ALR1

• Low Gold Plating Thickness on Leads.

L Suffix Indicates 40µ″ Nominal.

CASE 360C-05, STYLE 1

NI-360S

MRF373ALSR1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

- 0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

MRF373ALR1

197

1.12

278

Watts

W/°C

Watts

W/°C

MRF373ALSR1

1.59

Storage Temperature Range

- 65 to +150

200

°C

stg

Operating Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

MRF373ALR1

MRF373ALSR1

0.89

0.63

°C/W

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

1 (Minimum)

Machine Model

MRF373ALR1

MRF373ALSR1

M2 (Minimum)

M1 (Minimum)

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 4

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF373ALR1 MRF373ALSR1

 Motorola, Inc. 2003

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

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MRF373ALSR1	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF373ALSR1	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF373AR1	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF373AS	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 360C-05, 3 PIN
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