MRF373A

更新时间： 2024-01-07 05:32:48

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF373A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF373A 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Freescale Semiconductor, Inc.

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by MRF373A/D

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors MRF373ALR1

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF373ALSR1

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of these

devices make them ideal for large-signal, common source amplifier applica-

tions in 28/32 volt transmitter equipment.

470 - 860 MHz, 75 W, 32 V

LATERAL N-CHANNEL

BROADBAND

• Typical CW Performance at 860 MHz, 32 Volts, Narrowband Fixture

Output Power — 75 Watts

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 18.2 dB

Efficiency — 60%

• 100% Tested for Load Mismatch Stress at All Phase Angles

with 10:1 VSWR @ 32 Vdc, 860 MHz, 75 Watts CW

• Integrated ESD Protection

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal

CASE 360B-05, STYLE 1

NI-360

Impedance Parameters

• In Tape and Reel. R1 = 500 units per 32 mm, 13 inch Reel.

MRF373ALR1

• Low Gold Plating Thickness on Leads.

L Suffix Indicates 40µ″ Nominal.

CASE 360C-05, STYLE 1

NI-360S

MRF373ALSR1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

- 0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

MRF373ALR1

197

1.12

278

Watts

W/°C

Watts

W/°C

MRF373ALSR1

1.59

Storage Temperature Range

- 65 to +150

200

°C

stg

Operating Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

MRF373ALR1

MRF373ALSR1

0.89

0.63

°C/W

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

1 (Minimum)

Machine Model

MRF373ALR1

MRF373ALSR1

M2 (Minimum)

M1 (Minimum)

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 4

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF373ALR1 MRF373ALSR1

 Motorola, Inc. 2003

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRF373ALR1	MOTOROLA	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
MRF373ALR1	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
MRF373ALR1_08	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
MRF373ALSR1	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
MRF373ALSR1	MOTOROLA	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
MRF373AR1	MOTOROLA	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS	获取价格

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