5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF18090AS
MRF18090AS PDF预览

MRF18090AS

更新时间： 2024-02-09 21:31:26
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 176K
描述
1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS

阅读下载

中文翻译

获取价格

MRF18090AS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.9配置：Single
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
子类别：FET General Purpose PowerBase Number Matches：1

MRF18090AS 数据手册

 浏览型号MRF18090AS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MRF18090AS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MRF18090AS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MRF18090AS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MRF18090AS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MRF18090AS的Datasheet PDF文件第7页 
M OT O RO LA  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Order this document  
by MRF18090A/D  
The RF MOSFET Line  
MR F 1809 0A  
to r s  
R
F
P
o
w
e
r
F
i
e
l
d
E
f
f
e
c
t
T
r
a
n
s
i
s
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs  
M
R
F
1
8
0
9
0
A
S
Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from  
1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier  
applications. To be used in class AB for GSM and EDGE cellular radio  
applications.  
1.80 – 1.88 GHz, 90 W, 26 V  
LATERAL N–CHANNEL  
RF POWER MOSFETS  
•
GSM and EDGE Performances, Full Frequency Band  
Power Gain — 13.5 dB (Typ) @ 90 Watts (CW)  
Efficiency — 52% (Typ) @ 90 Watts (CW)  
•
•
•
•
•
•
•
Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use  
High Gain, High Efficiency and High Linearity  
Integrated ESD Protection  
Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness  
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 90 Watts (CW) Output Power  
Excellent Thermal Stability  
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters  
CASE 465B–03, STYLE 1  
(NI–880)  
(MRF18090A)  
CASE 465C–02, STYLE 1  
(NI–880S)  
(MRF18090AS)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Drain–Source Voltage  
Gate–Source Voltage  
V
DSS  
Vdc  
Vdc  
V
GS  
+15, –0.5  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
250  
Watts  
C
Derate above 25°C  
1.43  
W/°C  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to +200  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS  
Test Conditions  
Class  
Human Body Model  
Machine Model  
2 (Minimum)  
M3 (Minimum)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.7  
°C/W  
θ
JC  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 3  
Motorola, Inc. 2002  
12345678

中文翻译

下载PDF

与MRF18090AS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF18090B MOTOROLA

获取价格

 		RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF18090BR3 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF18090BS MOTOROLA

获取价格

 		RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF18090BSR3 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF181SR1 ONSEMI

获取价格

 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458B-02, 3 PIN
MRF181SR1 MOTOROLA

获取价格

 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458B-02, 2 PIN
MRF181ZR1 ONSEMI

获取价格

 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458C-02, 3 PIN
MRF181ZR1 MOTOROLA

获取价格

 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458C-02, 2 PIN
MRF182 MOTOROLA

获取价格

 		LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF182 ASI

获取价格

 		RF POWER FET TRANSISTOR

与MRF18090AS相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证