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MRF18090AR3

更新时间： 2024-01-21 15:58:09

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器局域网
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RF Power Field Effect Transistor

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MRF18090AR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF18090AR3 数据手册

Document Number: MRF18090A

Rev. 7, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

MRF18090AR3

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies

from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications. To be used in Class AB for GSM and GSM EDGE cellular radio

applications.

• GSM and GSM EDGE Performances, Full Frequency Band

Power Gain — 13.5 dB (Typ) @ 90 Watts CW

Efficiency — 52% (Typ) @ 90 Watts CW

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 90 Watts CW Output Power

Features

1.80-1.88 GHz, 90 W, 26 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFET

• Internally Matched for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

CASE 465B-03, STYLE 1

NI-880

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +65

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

250

1.43

W/°C

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

150

°C

stg

200

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.7

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

MRF18090AR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7 8

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与MRF18090AR3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF18090AS	MOTOROLA	获取价格	1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS
MRF18090B	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF18090BR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF18090BS	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF18090BSR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF181SR1	ONSEMI	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458B-02, 3 PIN
MRF181SR1	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458B-02, 2 PIN
MRF181ZR1	ONSEMI	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458C-02, 3 PIN
MRF181ZR1	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458C-02, 2 PIN
MRF182	MOTOROLA	获取价格	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

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