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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF18085BR3
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MRF18085BR3

更新时间： 2024-01-01 05:10:57
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
12页 610K
描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF18085BR3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.07
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：273 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF18085BR3 数据手册

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MOTOROLA  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Freescale Semiconductor, Inc.  
Order this document  
by MRF18085B/D  
The RF MOSFET Line  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs MRF18085BLSR3  
MRF18085BR3  
Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with  
frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier  
amplifier applications.  
GSM/GSM EDGE  
1.9 - 1.99 GHz, 85 W, 26 V  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
• GSM and GSM EDGE Performance, Full Frequency Band (1930 - 1990  
MHz)  
Power Gain - 12.5 dB (Typ) @ 85 Watts CW  
Efficiency - 50% (Typ) @ 85 Watts CW  
• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use  
• High Gain, High Efficiency, and High Linearity  
• Integrated ESD Protection  
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness  
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, @ P1dB Output Power,  
@ f = 1930 MHz  
• Excellent Thermal Stability  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
CASE 465-06, STYLE 1  
NI-780  
• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates  
40µ″ Nominal.  
MRF18085BR3  
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
CASE 465A-06, STYLE 1  
NI-780S  
MRF18085BLSR3  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DSS  
V
-0.5, +15  
GS  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
273  
1.56  
Watts  
W/°C  
C
D
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
- 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Value (1)  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
JC  
0.79  
°C/W  
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS  
Test Conditions  
Class  
Human Body Model  
Machine Model  
1 (Minimum)  
M3 (Minimum)  
(1) Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.motorola.com/semiconductors/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 3  
Motorola, Inc. 2004  
For More Information On This Product,  
Go to: www.freescale.com  
 
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