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MRF18085BLR3

更新时间： 2024-02-06 13:06:53

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF18085BLR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.27
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

MRF18085BLR3 数据手册

Document Number: MRF18085B

Rev. 6, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with

frequencies from 1930 to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA, and

multicarrier amplifier applications.

MRF18085BLR3

MRF18085BLSR3

• GSM and GSM EDGE Performance, Full Frequency Band (1930 - 1990

MHz)

Power Gain - 12.5 dB (Typ) @ 85 Watts CW

Efficiency - 50% (Typ) @ 85 Watts CW

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 85 Watts CW

Output Power

Features

1930-1990 MHz, 85 W, 26 V

GSM/GSM EDGE

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Internally Matched for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency, and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates

CASE 465-06, STYLE 1

NI-780

40μ″ Nominal.

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

MRF18085BLR3

CASE 465A-06, STYLE 1

NI-780S

MRF18085BLSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +65

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

273

1.56

W/°C

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

150

°C

stg

200

Table 2. Thermal Characteristics

(1)

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Value

Unit

0.79

°C/W

1. Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

MRF18085BLR3 MRF18085BLSR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF18085BLSR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085BLSR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085BR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18090A	MOTOROLA	获取价格	1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS
MRF18090A	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF18090AR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF18090AS	MOTOROLA	获取价格	1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS
MRF18090B	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF18090BR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF18090BS	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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