MRF18085B

更新时间： 2024-02-17 05:59:21

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF18085B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.91
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	273 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

MRF18085B 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Freescale Semiconductor, Inc.

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by MRF18085B/D

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

^{N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs}MRF18085BLSR3

MRF18085BR3

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with

frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier

amplifier applications.

GSM/GSM EDGE

1.9 - 1.99 GHz, 85 W, 26 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• GSM and GSM EDGE Performance, Full Frequency Band (1930 - 1990

MHz)

Power Gain - 12.5 dB (Typ) @ 85 Watts CW

Efficiency - 50% (Typ) @ 85 Watts CW

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency, and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, @ P1dB Output Power,

@ f = 1930 MHz

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

CASE 465-06, STYLE 1

NI-780

• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates

40µ″ Nominal.

MRF18085BR3

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

CASE 465A-06, STYLE 1

NI-780S

MRF18085BLSR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

273

1.56

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Value (1)

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.79

°C/W

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

(1) Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.motorola.com/semiconductors/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 3

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF18085BR3 MRF18085BLSR3

 Motorola, Inc. 2004

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

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MRF18085BLR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085BLSR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085BLSR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085BR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18090A	MOTOROLA	获取价格	1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS
MRF18090A	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
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MRF18090AS	MOTOROLA	获取价格	1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS
MRF18090B	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF18090BR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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