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MRF18085AR3

更新时间： 2024-02-11 10:35:08

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF18085AR3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.19	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	273 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF18085AR3 数据手册

MRF18085A

Rev. 4, 12/2004

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF18085AR3

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with

frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and

multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/

cellular radio and WLL applications. Specified for GSM - GSM EDGE

1805-1880 MHz.

MRF18085ALSR3

1800-1880 MHz, 85 W, 26 V

GSM/GSM EDGE

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• GSM and GSM EDGE Performance, Full Frequency Band

(1805-1880 MHz)

Power Gain - 15 dB (Typ) @ 85 Watts CW

Efficiency - 52% (Typ) @ 85 Watts CW

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, @ P1dB Output Power,

@ f = 1805 MHz

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

CASE 465-06, STYLE 1

NI-780

MRF18085AR3

• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates

40µ″ Nominal.

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

CASE 465A-06, STYLE 1

NI-780S

MRF18085ALSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-0.5, +65

-0.5, +15

Vdc

DSS

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

273

1.56

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

200

°C

stg

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

(1)

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.79

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

Machine Model

1. Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

MRF18085AR3 MRF18085ALSR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

5-1

12 3 4 5 6 7 8

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MRF18085B	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085BLR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
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MRF18085BLSR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
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MRF18090A	MOTOROLA	获取价格	1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS
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