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MRF150

更新时间： 2024-09-24 22:45:59

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泰科 - TE		晶体晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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描述
N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET

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MRF150 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	125 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF150 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

by MRF150/D

The RF MOSFET Line

N–Channel Enhancement–Mode

Designed primarily for linear large–signal output stages up to150 MHz

frequency range.

•

Specified 50 Volts, 30 MHz Characteristics

Output Power = 150 Watts

Power Gain = 17 dB (Typ)

150 W, to 150 MHz

N–CHANNEL MOS

LINEAR RF POWER

FET

Efficiency = 45% (Typ)

•

Superior High Order IMD

IMD_(d3)(150 W PEP) — –32 dB (Typ)

IMD_(d11)(150 W PEP) — –60 dB (Typ)

100% Tested For Load Mismatch At All Phase Angles With

30:1 VSWR

CASE 211–11, STYLE 2

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

125

±40

Unit

Vdc

Adc

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage

DSS

DGO

Gate–Source Voltage

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

300

Watts

Derate above 25°C

1.71

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

–65 to +150

200

°C

stg

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.6

°C/W

NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 9

12 3 4 5 6 7 8

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