是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.69 |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 125 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A | 最大漏极电流 (ID): | 6 A |
最大漏源导通电阻: | 2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码: | O-CRFM-F4 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 115 W | 最大功率耗散 (Abs): | 115 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | RADIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MRF148A | MACOM |
功能相似 |
Linear RF Power MOSFET 30W, to 175MHz, 50V | |
BLF175,112 | NXP |
功能相似 |
BLF175 | |
SD2918 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MRF148A | TE |
获取价格 |
Linear RF Power FET 30W, to 175MHz, 50V | |
MRF148A | ASI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET | |
MRF148A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans RF MOSFET N-CH 120V 6A 4-Pin Case 211-07 | |
MRF148A | MACOM |
获取价格 |
Linear RF Power MOSFET 30W, to 175MHz, 50V | |
MRF14-8J-CH | HRS |
获取价格 |
CONN COAX 8POS JACK | |
MRF14-8P-CH | HRS |
获取价格 |
CONN COAX 8POS PLUG | |
MRF14-CON(F) | HRS |
获取价格 |
连接器类型:端子;线束品:无;PIN数:1;插拔次数:60000;中心接点部分电镀:金;外 | |
MRF14-CON(M)-14M | HRS |
获取价格 |
CONN SIGNAL 14POS FOR MALE/FMALE | |
MRF14-CON(M1) | HRS |
获取价格 |
连接器类型:端子;线束品:无;PIN数:1;插拔次数:60000;安装方法:DIP穿孔;开 | |
MRF14-CON(M2) | HRS |
获取价格 |
连接器类型:端子;线束品:无;PIN数:1;插拔次数:60000;安装方法:DIP穿孔;开 |