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MR856-T3 PDF预览

MR856-T3

更新时间： 2024-11-01 19:47:15
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

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MR856-T3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.37其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.15 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MR856-T3 数据手册

 浏览型号MR856-T3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MR856-T3的Datasheet PDF文件第3页 
SENSITRON  
MR850-MR858  
ꢀ
SEMICONDUCTOR  
3.0A FAST RECOVERY RECTIFIER  
Data Sheet 2728, Rev. -  
Features  
l
Glass Passivated Die Construction  
l
l
l
l
l
Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Forward Voltage Drop, High Efficiency  
Low Power Loss  
Fast Recovery Time  
High Surge Current Capability  
A
B
A
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
C
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
D
Mechanical Data  
DO-201AD  
Dim Min Max  
Min  
Max  
l
l
Case: Molded Plastic  
A
B
25.4  
—
1.000  
—
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number  
8.50 9.50 0.335 0.374  
1.20 1.30 0.047 0.051  
5.0 5.60 0.197 0.220  
C
l
l
l
D
All  
In mm  
In inch  
Mounting Position: Any  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
l
Weight: 0.21 grams (approx.)  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
MR850 MR851 MR852 MR854 MR856 MR858  
Unit  
ꢀ
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
280  
600  
420  
800  
560  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TL = 75°C  
3.0  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
I FSM  
150  
A
Forward Voltage  
@I F = 3.0A  
VFM  
1.25  
100  
1.30  
150  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 100°C  
10  
200  
IRM  
µA  
Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
Cj  
nS  
pF  
°C  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
80  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, I = 0.25A,  
rr  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.  
• 221 West Industry Court ! Deer Park, NY 11729-4681 ! (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 •  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MR858 EIC

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MR858 JINANJINGHENG

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