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MR852

更新时间： 2024-02-09 10:44:42

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台芯 - TAYCHIPST		整流二极管
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描述
FAST RECOVER Y RECTIFIER DIODES

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MR852 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.34	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
应用：	FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.25 V
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向电流：	10 µA
最大反向恢复时间：	0.15 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

MR852 数据手册

MR850 THRU MR856

50V-600V

3.0A

FAST RECOVERY

RECTIFIER DIODES

FEATURES

High surge current capability

Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

Void-free molded plastic package

3.0 ampere operation at T_A=50 with no thermal runaway

Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228

Fast switching for high efficiency

Mechanical Data

Case: JEDEC DO-201AD molded plastic

Terminals: Plated Axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity: Color Band denotes end

Mounting Position: Any

Weight: 0.04 ounce, 1.1 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

Resistive or inductive load.

SYMBOLS MR850 MR851 MR852 MR854 MR856 UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

.375"(9.5mm) Lead Length at T_A=50

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

140

200

3.0

400

280

400

600

480

600

Volts

Amps

I_(AV)

Peak Forward Surge Current 10ms single half sine-

wave superimposed on rated load at T_A=25

Maximum Repetitive Peak Forward Surge(Note1)

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.0A

Maximum DC Reverse Current T_A=25

at Rated DC Blocking Voltage T_A=100

Maximum Reverse Recovery Time(Note 3) T_J=25

Typical Junction capacitance (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 4)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

I_FSM

100.0

Amps

I_FRM

V_F

I_R

10.0

1.25

10.0

500.0

150

Amps

Volts

_PF

T_RR

C_J

R JA

T_J

15.0

-50 to +125

-50 to +150

T_STG

NOTES:

1. Repetitive Peak Forward Surge Current at f<15KHz

2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts

3. Reverse Recovery Test Conditions: I_F=0.5A, I_R=1.0A, I_rr=0.25A

4. Thermal Resistance From Junction to Ambient at 0.375"(9.5mm) lead length with both leads to heat sink

1 of 2

E-mail: sales@taychipst.com

Web Site: www.taychipst.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MR852-B	FRONTIER	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
MR852G	DAESAN	获取价格	CURRENT 3.0 AMPERES VOLTAGE 50 TO 600 VOLTS
MR852G	ONSEMI	获取价格	Axial Lead Fast Recovery Rectifiers
MR852-G	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
MR852-GT3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
MR852RL	ONSEMI	获取价格	Axial Lead Fast Recovery Rectifiers
MR852RL	MOTOROLA	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon,
MR852RLG	ONSEMI	获取价格	Axial Lead Fast Recovery Rectifiers
MR852-T/R	FRONTIER	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
MR854	TAYCHIPST	获取价格	FAST RECOVER Y RECTIFIER DIODES

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