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MR826

更新时间: 2024-02-17 07:49:29
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德欧泰克 - DIOTEC 整流二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 202K
描述
Fast Silicon Rectifiers

MR826 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.7
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流:300 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大反向电流:10 µA最大反向恢复时间:0.2 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

MR826 数据手册

 浏览型号MR826的Datasheet PDF文件第2页 
MR 820 … MR 828  
Fast Silicon Rectifiers  
Schnelle Silizium Gleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
5 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50…1000 V  
Plastic case  
Ø 8 x 7.5 [mm]  
P-600 Style  
Kunststoffgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
1.5 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
V
RRM [V]  
50  
V
RSM [V]  
50  
MR 820  
MR 821  
MR 822  
MR 824  
MR 826  
MR 828  
100  
200  
400  
600  
800  
100  
200  
400  
600  
800  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50C  
f > 15 Hz  
TA = 25C  
TA = 25C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
5 A 1)  
60 A 1)  
300 A  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
450 A2s  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150C  
– 50…+175C  
TS  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
120  
01.10.2002  

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