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MR2A16AYS35

更新时间： 2024-09-25 02:55:11

品牌	Logo	应用领域
EVERSPIN		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	1175K
描述
256K x 16 MRAM Memory

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MR2A16AYS35 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	0.78	最长访问时间：	35 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	混合内存类型：	N/A
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.028 A	子类别：	SRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

MR2A16AYS35 数据手册

MR2A16A

256K x 16 MRAM Memory

FEATURES

• Fast 35 ns Read/Write cycle

• SRAM compatible timing, uses existing SRAM control-

lers without redesign

• Unlimited Read & Write endurance

• Data non-volatile for >20 years at temperature

• One memory replaces Flash, SRAM, EEPROM and

BBSRAM in a system for simpler, more eﬃcient design

• Replaces battery-backed SRAM solutions with MRAM

to improve reliability

44-pin TSOP2

• 3.3 volt power supply

• Automatic data protection on power loss

• Commercial, Industrial, Extended temperatures

• AEC-Q100 Grade 1 option

48-ball BGA

• All products meet MSL-3 moisture sensitivity level

• RoHS-compliant SRAM TSOP2 and BGA Packages

RoHS

INTRODUCTION

The MR2A16A is a 4,194,304-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) device orga-

nized as 262,144 words of 16 bits. The MR2A16A oﬀers SRAM compatible 35 ns read/write timing

with unlimited endurance. Data is always non-volatile for greater than 20 years. Data is automati-

cally protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of

speciﬁcation.

The MR2A16A is the ideal memory solution for applications that must permanently store and re-

trieve critical data and programs quickly.

The M2A16A is available in a small footprint 48-pin ball grid array (BGA) package and a 44-pin thin

small outline package (TSOP Type 2). These packages are compatible with similar low-power SRAM

products and other nonvolatile RAM products.

The MR2A16A provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures. The prod-

uct is oﬀered with Commercial (0 to +70 °C), Industrial (-40 to +85 °C), Extended (-40 to +105 °C),

and AEC-Q100 Grade 1 (-40 to +125 °C) operating temperature range options.

MR2A16A Rev. 11.3 3/2018

12 3 4 5 6 7...20

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MR2A16AYS35 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MR2A16AVYS35	EVERSPIN	类似代替	256K x 16 MRAM Memory
MR2A16ACYS35	EVERSPIN	类似代替	256K x 16 MRAM Memory
MR1A16ACYS35	EVERSPIN	功能相似	128K x 16 MRAM Memory

与MR2A16AYS35相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MR2A16AYS35R	EVERSPIN	获取价格	256K x 16 MRAM Memory
MR2A8ACYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR2A8AVYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR2A8AYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR2S08ACTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR2S08ACYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR2S08ACYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR2S08ATS35C	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR2S08AVTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR2S08AVYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44

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