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MR2A08ACYS35

更新时间： 2024-09-25 02:55:11

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EVERSPIN		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	901K
描述
512K x 8 MRAM Memory

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MR2A08ACYS35 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	1.13	最长访问时间：	35 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	18.41 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	8	混合内存类型：	N/A
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.02 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

MR2A08ACYS35 数据手册

MR2A08A

512K x 8 MRAM Memory

FEATURES

• Fast 35ns Read/Write Cycle

• SRAM Compatible Timing, Uses Existing SRAM Controllers Without

Redesign

• Unlimited Read & Write Endurance

• Data Always Non-volatile for >20 years at Temperature

• One Memory Replaces Flash, SRAM, EEPROM and BBSRAM in

System for Simpler, More Eﬃcient Design

• Replace battery-backed SRAM solutions with MRAM to eliminate

battery assembly, improving reliability

• 3.3 Volt Power Supply

• Automatic Data Protection on Power Loss

• Commercial, Industrial, Automotive Temperatures

• RoHS-Compliant SRAM TSOP2 Package

• RoHS-Compliant SRAM BGA Package

• AEC-Q100 Grade 1 Qualiﬁed

RoHS

INTRODUCTION

The MR2A08A is a 4,194,304-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) device organized as

524,288 words of 8 bits. The MR2A08A oﬀers SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited

endurance. Data is always non-volatile for greater than 20 years. Data is automatically protected on power

loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of speciﬁcation.

The MR2A08A is the ideal memory solution for applications that must permanently store and retrieve criti-

cal data and programs quickly.

The MR2A08A is available in a small footprint 400-mil, 44-lead plastic small-outline TSOP type 2 package

or an 8 mm x 8 mm, 48-pin ball grid array (BGA) package with 0.75 mm ball centers. These packages are

compatible with similar low-power SRAM products and other non-volatile RAM products.

The MR2A08A provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures. The product is of-

fered with commercial temperature range (0 to +70 °C), industrial temperature range (-40 to +85 °C), and

AEC-Q100 Grade 1 temperature range (-40 to +125 °C) options.

CONTENTS

1. DEVICE PIN ASSIGNMENT......................................................................... 2

2. ELECTRICAL SPECIFICATIONS................................................................. 4

3. TIMING SPECIFICATIONS.......................................................................... 7

4. ORDERING INFORMATION....................................................................... 11

5. MECHANICAL DRAWING.......................................................................... 12

6. REVISION HISTORY...................................................................................... 14

How to Reach Us.......................................................................................... 14

MR2A08A Rev. 6.3, 3/2018

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MR2A08AYS35	EVERSPIN	类似代替	512K x 8 MRAM Memory
MR2A08AMYS35	EVERSPIN	功能相似	512K x 8 MRAM Memory

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MR2A08ACYS35R	EVERSPIN	获取价格	512K x 8 MRAM Memory
MR2A08AMA35	EVERSPIN	获取价格	512K x 8 MRAM Memory
MR2A08AMA35R	EVERSPIN	获取价格	512K x 8 MRAM Memory
MR2A08AMYS35	EVERSPIN	获取价格	512K x 8 MRAM Memory
MR2A08AMYS35R	EVERSPIN	获取价格	512K x 8 MRAM Memory
MR2A08ATS35C	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR2A08AVTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR2A08AVYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR2A08AVYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR2A08AYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM

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