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MPSL51

更新时间： 2024-11-25 22:51:11
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 190K
描述
Amplifier Transistor

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MPSL51 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.67
最大集电极电流 (IC)：0.6 A基于收集器的最大容量：8 pF
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-226AA
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

MPSL51 数据手册

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by MPSL51/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
–100  
–100  
–4.0  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–600  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
–100  
–100  
–4.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –50 Vdc, I = 0)  
I
–1.0  
–100  
µAdc  
nAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc, I = 0)  
E
I
—
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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