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MPSA94 PDF预览

MPSA94

更新时间： 2024-11-16 22:51:11
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KEC 晶体晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
2页 291K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE)

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MPSA94 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.68
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MPSA94 数据手册

 浏览型号MPSA94的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
MPSA94  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
HIGH VOLTAGE APPLICATION.  
B
C
FEATURES  
·High Breakdown Voltage.  
·Complementary to MPSA44.  
DIM MILLIMETERS  
N
A
B
C
D
E
4.70 MAX  
4.80 MAX  
3.70 MAX  
0.45  
E
K
D
G
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
1.00  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
-400  
UNIT  
V
F
1.27  
G
H
J
0.85  
0.45  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
_
H
14.00 +0.50  
K
L
0.55 MAX  
2.30  
F
F
-400  
V
M
0.45 MAX  
1.00  
-6  
V
N
3
1
2
Collector Current  
-300  
mA  
mW  
℃
1. EMITTER  
2. BASE  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
625  
3. COLLECTOR  
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55∼150  
℃
TO-92  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut off Current  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
-400  
-400  
-400  
-6.0  
-
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)CES  
V(BR)EBO  
ICBO  
IC=-100μA, IE=0  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
V
V
IC=-1mA, IB=0  
-
IC=-100μA, IB=0  
-
-
V
IE=-10μA, IC=0  
V
VCB=-300V, IE=0  
VCE=-400V, IB=0  
VEB=-4V, IC=0  
-100  
-1  
nA  
μA  
nA  
ICES  
Collector Cut off Current  
-
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
-
-100  
-
VCE=-10V, IC=-1mA  
VCE=-10V, IC=-10mA  
VCE=-10V, IC=-50mA  
VCE=-10V, IC=-100mA  
IC=-10mA, IB=-1mA  
IC=-10mA, IB=-1mA  
VCB=-20V, IE=0, f=1MHz  
40  
50  
45  
40  
-
300  
-
hFE  
DC Current Gain  
*
-
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Cob  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector Output Capacitance  
*
*
-0.5  
-0.75  
-
V
V
-
-
pF  
*Pulse Test : Pulse Width≦300μS, Duty Cycle≦2%  
2002. 5. 28  
Revision No : 1  
1/2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA94_11 MCC

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MPSA94_11 UTC

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MPSA94_12 UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA94A KEC

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MPSA94-AP-HF MCC

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 		暂无描述
MPSA94-BP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
MPSA94-BP-HF MCC

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