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MPSA92_09

更新时间： 2024-09-24 10:48:47

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管高压
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High voltage Si-epitaxial planar transistors

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MPSA92_09 数据手册

MPSA92 / MPSA94

High voltage Si-epitaxial planar transistors

Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren

PNP

Version 2009-05-07

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

E B C

Weight approx.

Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2 x 2.54

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions / Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MPSA92

MPSA94

400 V

Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EBO

P_tot

300 V

400 V

5 V

625 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I_C

300 mA

Base current – Basisstrom

- I_B

100 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

-55...+150°C

-55…+150°C

T_S

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, - V_CB= 200 V

I_E= 0, - V_CB= 160 V

MPSA92

MPSA94

- I_CB0

250 nA

–

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_B= 0, - V_EB= 3 V

- I_EB0

100 nA

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)

MPSA92

- I_C= 20 mA, - I_B= 2 mA

- V_CEsat

500 mV

MPSA94

–

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ²)

- I_C= 20 mA, - I_B= 2 mA

- V_BEsat

0.9 V

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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