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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPSA92-AP
MPSA92-AP PDF预览

MPSA92-AP

更新时间： 2024-09-24 10:48:47
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
3页 133K
描述
PNP Silicon High Voltage Transistor

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MPSA92-AP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.23最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

MPSA92-AP 数据手册

 浏览型号MPSA92-AP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MPSA92-AP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MPSA92  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
Through Hole Package  
Operating & Storage Temperature: -55°C to +150°C  
Marking : A92  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
PNP Silicon High  
Voltage Transistor  
•
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
TO-92  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
A
E
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IEBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=-1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100µAdc, IE=0)  
Emitter -Base Breakdown Voltage  
(IE=-10µAdc, IC=0)  
Emitter Cutoff Current  
-300  
-300  
-5.0  
Vdc  
Vdc  
B
Vdc  
-0.25  
-0.25  
uAdc  
uAdc  
(VEB=-3.0Vdc, IC=0)  
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-200Vdc, IE=0)  
ON CHARACTERISTICS  
C
hFE  
DC Current Gain*  
(IC=-1.0mAdc, VCE=-10Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-10Vdc)  
(IC=-50mAdc, VCE=-10Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-20mAdc, IB=-2.0mAdc)  
25  
80  
25  
250  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
-0.5  
-0.9  
Vdc  
Vdc  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-20mAdc, IB=-2.0mAdc)  
D
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=-10mAdc, VCE=-5Vdc, f=30MHz)  
Collector-Base Capacitance  
(VCB=-20Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
50  
MHz  
pF  
C
B
E
Ccb  
6.0  
*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%  
MAXIMUM RATINGS  
G
Symbol  
Characteristic  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Unit  
Vdc  
MPSA92  
DIMENSIONS  
V
CEO  
CBO  
EBO  
–300  
–300  
–5.0  
–300  
200  
83.3  
625  
5.0  
V
V
I
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MM  
MIN  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
°C/W  
°C/W  
mW  
mW/°C  
Watts  
mW/°C  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
Emitter–Base Voltage  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
Collector Current — Continuous  
C
R
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
JA  
JC  
E
G
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
A
P
D
1.5  
12  
C
P
D
Derate above 25°C  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 5  
2008/02/01  
123

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